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    光骏半导体
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    光骏半导体
  • W634GU6RB DRAM PAR 4GBIT 96VFBGA 11存储芯片IC

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    光骏半导体
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    光骏半导体
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    欧越芯城
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    欧越芯城
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    欧越芯城
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    欧越芯城
  • 512MBIT 存储芯片IS42S16320F 54TFBGA DRAM PAR 7BLI

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    欧越芯城
  • 4GBIT 存储芯片EM6OE08NW9A 78FBGA DRAM POD 07H

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  • 7975 PXI PXIE 782955 FPGA模块 DRAM 7975R PXIe

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  • EM6HE16EWAKG DRAM PARALLEL 4GBIT 96FBGA 10H集成电路IC

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    光骏半导体
  • AS4C8M32SA DRAM PAR 256MBIT 90TFBGA 7BCN集成电路IC

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  • 议价内存4G8G16G单条内存颗粒DDR4双列240pin直插式 长鑫DRAM

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  • BCTD DRAM K4A4G165WE 动态随机存取存储器 原装 FBGA

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  • GHCL DRAM K4F8E3S4HD 200 动态随机存取存储器 原装 FBGA

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  • PARALLE 512M DRAM MT48LC32M16A2P 现货 全新原装

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    ¥30.4230.42售0件

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  • DRAM 现货 IS42SM16800G 128M PARALLEL 6BLI 全新原装

    DRAM 现货 IS42SM16800G 128M PARALLEL 6BLI 全新原装

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